发明名称 |
包括减小其他存储单元的影响的对非易失性存储器的编程 |
摘要 |
一种对非易失性存储器进行编程的系统,该系统减小来自相邻存储单元的升压的干扰的影响。存储单元被分成两个或更多个组。在一个示例中,存储单元被分成奇数存储单元和偶数存储单元;但是,也可以使用其他分组方式。在第一触发之前,利用随着时间增大的编程信号对第一组非易失性存储单元和第二组非易失性存储单元一起进行编程。在第一触发之后、第二触发前,使用响应于第一触发而幅度减小了的编程信号独立于第二组存储单元来对第一组存储单元进行编程。在第二触发之后,通过响应于第二触发而升高的编程信号对第一组存储单元和第二组存储单元一起进行编程。在两个触发之前和之后,对第一组存储单元和第二组存储单元一起进行验证。 |
申请公布号 |
CN102985976A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201180027182.6 |
申请日期 |
2011.04.14 |
申请人 |
桑迪士克技术有限公司 |
发明人 |
董颖达;李世钟;大和田宪 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李春晖;李德山 |
主权项 |
一种用于对非易失性存储器进行编程的方法,包括:使用编程信号对第一组非易失性存储单元和第二组非易失性存储单元一起进行编程以及一起进行验证;确定第一条件存在;响应于确定所述第一条件存在来降低所述编程信号;以及使用响应于确定所述第一条件存在而被降低了的所述编程信号来独立于对所述第二组非易失性存储单元进行的编程对所述第一组非易失性存储单元进行编程。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |