发明名称 |
红外图像传感器及其形成方法 |
摘要 |
一种红外图像传感器及其形成方法,包括:提供具有CMOS控制电路的衬底;在衬底上方形成像素结构、像素结构和控制电路电连接的插栓;像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层;还包括:形成具有第一开口的第二牺牲层,覆盖像素结构,第一开口位于插栓上方;在第二牺牲层上、第一开口的侧壁和底部形成支撑层;在支撑层中形成第二开口,通过第二开口去除第一牺牲层、第二牺牲层;去除第一牺牲层、第二牺牲层后,形成封盖层,覆盖支撑层、填满第一开口、第二开口,封盖层为对红外线的透射层;在封盖层和支撑层中形成第三开口,利用物理气相沉积工艺在第三开口中形成密封层,密封第三开口。本技术方案中的封盖工艺与传统的半导体工艺兼容。 |
申请公布号 |
CN102983145A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210521002.6 |
申请日期 |
2012.12.07 |
申请人 |
上海丽恒光微电子科技有限公司 |
发明人 |
毛剑宏;唐德明;张镭 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种形成红外图像传感器的方法,其特征在于,包括:提供具有CMOS控制电路的衬底;在所述衬底上方形成像素结构、所述像素结构和所述控制电路电连接的插栓;像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层;形成像素结构以及插栓之后,还包括:形成具有第一开口的第二牺牲层,覆盖所述像素结构,所述第一开口位于所述插栓上方;在所述第二牺牲层上、所述第一开口的侧壁和底部形成支撑层;在所述支撑层中形成第二开口,通过所述第二开口去除所述第一牺牲层、第二牺牲层;去除所述第一牺牲层、第二牺牲层后,形成封盖层,覆盖所述支撑层、填满所述第一开口、第二开口,所述封盖层为对红外线的透射层;在所述封盖层和支撑层中形成第三开口,之后利用物理气相沉积工艺在所述第三开口中形成密封层,密封所述第三开口。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 |