| 发明名称 | 一种复合全桥差压测量单元 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空，本实用新型采用两个压力敏感芯片复合成新的全桥来测量差压，解决了传统差压传感器不能测量负差压以及电路复杂的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN202814623U | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201220330880.5 | 申请日期 | 2012.07.10 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 发明人 | 金忠;谢贵久;吴迪;龙悦;颜志红;何迎辉 |
| 分类号 | G01L13/06(2006.01)I | 主分类号 | G01L13/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人 | 马强 |
| 主权项 | 一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，其特征在于，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空。 | ||
| 地址 | 410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号 | ||