封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法

摘要

一种封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法，其结构具有一第一导电型的漏极区、一第二导电型的本体、一沟槽式栅极与多个具有第一导电型的源极区；本体位于漏极区上；沟槽式栅极位于本体内，并具有至少二长条部分与一交错部分，其中，长条部分的底部位于漏极区内，交错部分的底部位于本体内；源极区位于本体内，并且至少邻接于沟槽式栅极的长条部分。本发明通过缩减沟槽式栅极与漏极的接面面积，以降低封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构的栅极/漏极电容值。

主权项

一种封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，包括：一第一导电型的漏极区；一第二导电型的本体，位于该漏极区上；一沟槽式栅极，位于该本体内，该沟槽式栅极具有至少二长条部分与一交错部分，其中，该长条部分的底部位于该漏极区内，该交错部分的底部位于该本体内；以及多个具有该第一导电型的源极区，位于该本体内，并且至少邻接于该沟槽式栅极的该长条部分。