低介电常数薄膜的灰化/湿法蚀刻损伤的抵抗性以及整体稳定性的改进方法

摘要

本发明的实施方式提供一种用于在腔室的衬底上由包括两种有机硅化合物的混合物沉积低介电常数薄膜的方法。该混合物还可包括碳氢化合物和氧化气体。第一有机硅化合物中每个Si原子具有平均数为一个或更多个的Si-C键。第二有机硅化合物中每个Si原子具有一平均数的Si-C键，该平均数大于第一有机硅化合物中每个Si原子的Si-C键的平均数。该低介电常数薄膜具有良好的等离子体/湿法蚀刻损伤抵抗性、良好的机械性能和期望的介电常数。

主权项

一种用于沉积低介电常数薄膜的方法，包含：以第一流速将第一有机硅化合物引入一腔室，其中所述第一有机硅化合物中每个Si原子具有平均数为一个或更多个的Si‑C键，所述第一有机硅化合物具有至少一个Si‑H键，其中所述第一有机硅化合物选自由甲基二乙氧基硅烷、1,3‑二甲基二硅氧烷、1,1,3,3‑四甲基二硅氧烷、双（1‑甲基二硅氧烷基）甲烷、以及2,2‑双（1‑甲基二硅氧烷基）丙烷组成的组；以第二流速将第二有机硅化合物引入所述腔室，其中所述第二有机硅化合物中每个Si原子具有一平均数的Si‑C键，该平均数大于在所述第一有机硅化合物中每个Si原子的Si‑C键的平均数，以及其中所述第二流速除以所述第一流速与第二流速的总和是在5%和50%之间；以及在存在射频功率下，使所述第一有机硅化合物与所述第二有机硅化合物反应，以在所述腔室中的衬底上沉积低介电常数薄膜。