| 发明名称 | 抗蚀剂下层膜用组合物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜用组合物，可形成与抗蚀剂膜的密合性优异，提高抗蚀剂图案再现性和对在显影等中使用的碱液及除去抗蚀剂时的氧灰化具有耐受性的抗蚀剂下层膜，并且该组合物保存稳定性优异。本发明涉及的抗蚀剂下层膜用组合物的特征在于含有下述通式(A)表示的硅烷化合物的水解物和/或其缩合物。R1bR2cSi(OR3)4-a...(A)[式中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c]。 | ||
| 申请公布号 | CN101133364B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN200680006646.4 | 申请日期 | 2006.02.24 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 今野圭二;田中正人;石井桃子;高桥纯一;永井智树 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 抗蚀剂下层膜用组合物，其特征在于含有：(I)含有下述通式(A)表示的硅烷化合物和下述通式(B)表示的硅烷化合物的混合物的缩合物，和(II)含有下述通式(C)表示的硅烷化合物的混合物的缩合物，R1Si(OR3)3 ...(A)式(A)中，R1表示含有芳香环的1价有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的有机基团，Si(OR3)4 ...(B)式(B)中，R3表示1价有机基团，R4dSi(OR3)4‑d ...(C)式(C)中，R3表示1价有机基团，R4独立地表示甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基或者叔丁基，d表示1～3的整数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||