等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供一种能够进行良好的形状控制并且能够以高速进行氮化硅膜的蚀刻的等离子体蚀刻方法。在对具备在自上而下开口面积逐渐减小的开口部的抗蚀剂图案的下层侧形成的被处理基板(S)上的氮化硅膜进行等离子体蚀刻时，包括将被处理基板(S)搬入处理容器(20)内的工序；和向处理容器(20)内供给六氟化硫和氧的混合气体，在133Pa以上、200Pa以下的范围内的压力氛围下进行等离子体化，对上述氮化硅膜进行蚀刻的工序。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，对在具备自上而下开口面积逐渐减小的开口部的抗蚀剂图案的下层侧形成的被处理基板上的氮化硅膜进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于，包括：将所述被处理基板搬入处理容器内的工序；和向该处理容器内供给六氟化硫和氧的混合气体，在133Pa以上、200Pa以下的范围内的压力氛围下使该混合气体等离子体化，对所述氮化硅膜进行蚀刻的工序，所述混合气体中的六氟化硫与氧的体积比在1∶6～1∶20的范围内。