半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该方法包括第一工艺，在其浓度峰值位于比硅化物和半导体衬底之间的界面更深的位置的情况下，以等于或者小于1E14原子/cm2的浓度，在具有升高的结构的源极和漏极区域中注入第一导电型的第一杂质；第二工艺，在其峰值位于比第一杂质的浓度峰值更浅的位置的条件下，将具有比第一杂质的质量小的质量的第一导电型的第二杂质注入到源极和漏极区域；以及第三工艺，在第一和第二工艺之后将高温毫秒退火应用于半导体衬底。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其中制备衬底，在所述半导体器件中形成有：栅电极，所述栅电极被布置所述衬底的上方，并且在所述栅电极和所述衬底之间插入栅极绝缘膜；侧壁间隔物，所述侧壁间隔物被布置在所述栅电极的侧面，以及区域，所述区域被布置在与所述栅电极的两侧相对应的所述衬底中，并且包括在所述栅极绝缘膜和所述衬底之间的界面之上具有升高的结构的第一导电型源极和漏极区域，所述方法包括：第一注入，当硅化物区域形成在所述源极和漏极区域上方时，在第一导电型的所述第一杂质的浓度峰值位于比所述硅化物区域和所述衬底之间的界面更深的位置的条件下，以等于或者小于1E14原子/cm2的浓度将第一杂质注入包括源极和漏极区域的所述区域；第二注入，在第一导电型的第二杂质的浓度峰值位于比所述第一杂质的浓度峰值更浅的位置的条件下，将第二杂质注入包括源极和漏极区域的所述区域，其中所述第二杂质具有比所述第一杂质的质量小的质量；以及第三，继所述第一注入第一杂质和所述第二注入第二杂质之后，高温毫秒退火所述衬底。