| 发明名称 | 混合线条的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层和第一硬掩模层；B、对第一硬掩模层光刻/刻蚀形成第一硬掩模图形；C、在材料层和第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；D、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；E、以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。依照本发明的混合线条制造方法，将同一层次图形按线条大小进行拆分，大线条用普通光学曝光，小线条用电子束曝光，旨在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间。同时采用2次硬掩膜方法有效的解决了I线光刻胶和电子束光刻胶相互影响的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102983066A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201110261526.1 | 申请日期 | 2011.09.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐波;闫江 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层和第一硬掩模层；B、对第一硬掩模层光刻/刻蚀形成第一硬掩模图形；C、在材料层和第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；D、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；E、以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||