| 发明名称 | 电子装置和在电子装置的外部上制造符号的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种电子装置和在电子装置的外部上制造符号的方法。该方法包括准备支持层，在支持层上准备纳米光栅层，该纳米光栅层包括：与预设符号相应的第一纳米光栅区和与除预设符号之外的区域相应的第二纳米光栅区，其中，第一纳米光栅区和第二纳米光栅区中的每一个包括三维(3D)纳米结构，并且布置在第一纳米光栅区的3D纳米结构之间的栅距与布置在第二纳米光栅区的3D纳米结构之间的栅距不同。 | ||
| 申请公布号 | CN102982734A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201210298759.3 | 申请日期 | 2012.08.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑圣殷;郑一龙 |
| 分类号 | G09F7/16(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I | 主分类号 | G09F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星 |
| 主权项 | 一种在电子装置的外部上制造符号的方法，该方法包括：准备支持层；及在支持层上准备纳米光栅层，该纳米光栅层包括与预设符号相应的第一纳米光栅区和与除预设符号之外的区域相应的第二纳米光栅区，其中，第一纳米光栅区包括按第一栅距布置的三维(3D)纳米结构和按第二栅距布置的三维纳米结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||