发明名称 过电流保护装置
摘要 本发明提供一种过电流保护装置,包含一第一功率晶体保护电路及一第二功率晶体保护电路,其中第一功率晶体保护电路设于输出端与负载之间,由多数个电阻及电容串联和/或并联构成,且包含一启动电路,第二功率晶体保护电路设于负载与输入端之间,也是由多数个电阻及电容串联和/或并联构成,且包含一保护讯号驱动单元,此保护讯号驱动单元接地且与一过电流保护单元电性连接,第一功率晶体保护电路的启动电路与第二功率晶体保护电路之间串接一齐纳二极管,以达到过电流保护的效果。
申请公布号 CN102983544A 申请公布日期 2013.03.20
申请号 CN201110259910.8 申请日期 2011.09.02
申请人 大银微系统股份有限公司 发明人 陈铭旭;巫昌圜
分类号 H02H3/08(2006.01)I 主分类号 H02H3/08(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 赵郁军
主权项 一种过电流保护装置,所应用的电路中包含一负载以及一给此负载供应电源的电源模组,此电源模组包括一供电流流出至负载的输出端,以及一供电流流经负载流回的输入端,其特征在于,该过电流保护装置包含一第一功率晶体保护电路及一第二功率晶体保护电路,其中该第一功率晶体保护电路设于该输出端与负载之间,是由多数个电阻及电容串联和/或并联构成,且包含一启动电路,该第二功率晶体保护电路设于该负载与输入端之间,也是由多数个电阻及电容串联和/或并联构成,且包含一保护讯号驱动单元,此保护讯号驱动单元接地且与一过电流保护单元电性连接,该第一功率晶体保护电路的启动电路与该第二功率晶体保护电路之间串接一齐纳二极管。
地址 中国台湾台中市