用于减少非易失性存储器中的状态分布的展宽的擦除和编程技术

摘要

给出了用于存储器器件中以通过降低状态分布中的展宽来改进可靠性和耐用性的技术，这发生在多个写/擦除循环之后。一组技术使用预调节操作，其中可以包括编程和温和擦除的脉冲序列被施加到一条或多条字线，同时在字线方向、位线方向或这两者上施加电压差。另一组技术使用双脉冲或者多脉冲编程处理，其中在一对的第一脉冲中使用增加的字线到字线差。

主权项

一种操作非易失性存储器阵列的方法，该非易失性存储器阵列包括一个或多个擦除块，每个擦除块具有沿着位线和字线形成的多个存储器单元，该方法包括：对一个或多个所选的擦除块的存储器单元进行擦除操作，该擦除操作包括：进行加应力阶段，包括：将电压电平的样式施加到与所选擦除块对应的位线，其中该样式包括对应的位线中的至少一对相邻位线之间的电压差；以及在向位线施加电压电平的样式时，向与所选擦除块对应的字线中的一条或多条字线施加正电压的脉冲；以及进行擦除阶段，包括偏压所选擦除块以引起其存储器单元的擦除。