| 发明名称 | EUV光刻用反射型掩模基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。 | ||
| 申请公布号 | CN101978468B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN200980109887.5 | 申请日期 | 2009.02.19 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 林和幸;宇野俊之;海老原健 |
| 分类号 | G03F1/24(2012.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | G03F1/24(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 刘多益;胡烨 |
| 主权项 | 一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||