硫属化物膜的形成方法以及记录元件的制造方法

摘要

本发明提供一种硫属化物膜的形成方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内形成硫属化物膜，该方法包括：准备与上述硫属化物膜同一组成的靶的步骤；上述靶的直径为T(m)，上述靶与上述基板之间的距离为L(m)时，将上述距离L与上述靶的直径T的比L/T设定为0.5～1.5的步骤；通过对上述基板施加偏置功率，对上述靶施加溅射功率的溅射工序，在上述接触孔内形成硫属化物膜的步骤。

主权项

一种硫属化物膜的形成方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内形成硫属化物膜，该方法包括：准备与所述硫属化物膜同一组成的靶的步骤；所述靶的直径为T(m)、所述靶与所述基板之间的距离为L(m)时，将所述距离L与所述靶的直径T的比L/T设定为0.5～1.5的步骤；通过对所述基板施加偏置功率，对所述靶施加溅射功率的溅射工序，在所述接触孔内形成硫属化物膜的步骤，所述基板的表面积为Ss(cm2)、对所述基板施加的偏置功率为Ps(W)、所述靶的表面积为St(cm2)、对所述靶施加的溅射功率为Pt(W)时，所述基板的功率密度Ds与所述靶的功率密度Dt的比Ds/Dt满足下式(1)：Ds/Dt＝(Ps×St)/(Pt ×Ss)≤0.1(1)。