液晶显示设备的制造方法

摘要

本发明提供一种液晶显示设备的制造方法，该制造方法包括对第一和第二光刻胶图案进行灰化，由此在灰化的第一和第二光刻胶图案之间和第一光刻胶图案的灰化的第一和第二部分之间所露出的数据线和源-漏图案的部分形成铜氧化物膜；对铜氧化物膜进行脱氧或去除；进行等离子体处理以将数据线和源-漏图案的露出部分改变为铜化合物；利用铜化合物去除溶液去除铜化合物，以形成位于灰化的第一和第二部分下方的源极和漏极，其中铜化合物去除溶液基本上不与铜组材料反应；利用源极和漏极作为蚀刻掩模对源极和漏极之间的欧姆接触层的一部分进行干刻，欧姆接触层通过对掺杂非晶硅层构图而形成。

主权项

一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和栅极，所述栅极位于所述基板的开关区域内；在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；形成顺序地定位在所述栅绝缘层上的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和铜组材料层，所述铜组材料是铜和铜合金中的一种；在所述铜组材料层上形成第一和第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案对应于所述开关区域并且包括第一部分到第三部分，其中第三部分位于第一部分和第二部分之间且其厚度小于第二光刻胶图案以及第一部分和第二部分的厚度，并且其中第二光刻胶图案对应于所述基板的数据区域；利用第一和第二光刻胶图案对所述铜组材料层进行构图，以形成第一光刻胶图案下方的源‑漏图案和第二光刻胶图案下方的数据线；对第一和第二光刻胶图案进行灰化以去除第三部分，由此在灰化的第一和第二光刻胶图案之间以及灰化的第一部分和第二部分之间所露出的数据线和源‑漏图案的部分形成铜氧化物膜；对所述铜氧化物膜进行脱氧或去除；在对所述铜氧化物膜进行脱氧或去除之后进行等离子体处理，以将所述数据线和所述源‑漏图案的露出部分改变为铜化合物；利用铜化合物去除溶液来去除所述铜化合物，以分别形成位于灰化的第一部分和第二部分下方的源极和漏极，其中所述铜化合物去除溶液基本上不与所述铜组材料反应；利用源极和漏极作为蚀刻掩模来对源极和漏极之间的欧姆接触层的一部分进行干刻，所述欧姆接触层通过对所述掺杂非晶硅层构图而形成；以及形成连接到所述漏极的像素电极。