发明名称 发光器件
摘要 公开了一种发光器件。发光器件包括:第一段和第二段,其中第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在第一半导体层与第二半导体层之间的第一有源层,其中第二段包括:设置在第一段上的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在第三半导体层的除了暴露出的区域之外的区域上的第四半导体层、以及在第三半导体层与第四半导体层之间的第二有源层;设置在第一半导体层上的第一电极;设置在第四半导体层上的第二电极、以及插入到暴露出的区域中的孔中以设置在暴露出的区域和第二半导体层上的第三电极,第三电极电连接至第二半导体层和第三半导体层。
申请公布号 CN102983129A 申请公布日期 2013.03.20
申请号 CN201210125520.6 申请日期 2012.04.25
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 黄盛珉
分类号 H01L25/13(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I 主分类号 H01L25/13(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 蔡胜有;董文国
主权项 一种发光器件,包括:包括第一段和第二段的发光结构,其中所述第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层;以及其中所述第二段包括设置在所述第一段上并且掺杂有所述第一掺杂剂的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层;设置在所述第一半导体层上的第一电极;设置在所述第四半导体层上的第二电极;以及插入到所述暴露出的区域中的孔中以设置在所述暴露出的区域和所述第二半导体层上的第三电极,所述第三电极电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层。
地址 韩国首尔