发明名称 |
半导体装置和半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法,提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中,在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b),在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d),在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20,21)。另外,当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时,进行焊接以抑制位置偏离。由此,即使长时间使用,也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。 |
申请公布号 |
CN101339933B |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN200810096579.0 |
申请日期 |
2008.05.16 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
堀尾真史;池田良成;望月英司 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具有:绝缘板;与所述绝缘板的第一主面接合的第一金属箔;与所述绝缘板的第二主面接合的至少一个第二金属箔;通过焊接层接合在所述第二金属箔上的、壁厚大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件;和为了抑制熔融的所述焊接层的流动,以包围所述焊接层的方式,有选择地在所述半导体元件与所述第二金属箔的上面之间配置的润湿抑制层。 |
地址 |
日本川崎市 |