半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括薄膜形成步骤和等离子处理步骤，且反复进行预定次数的上述薄膜形成步骤和上述等离子处理步骤，直到形成所希望厚度的膜，其中，上述薄膜形成步骤是通过依次进行以下步骤而在基板上形成薄膜：向收容有衬底的处理室内供给第1反应物质，并使上述第1反应物质吸附于上述衬底的表面的步骤；从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质的步骤；向上述处理室内供给第2反应物质，并使其与吸附于上述衬底的表面的上述第1反应物质发生反应，来形成至少1个原子层的薄膜的步骤；以及从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质的步骤，上述等离子处理步骤是在上述薄膜形成步骤之后，向上述处理室内供给被等离子激励后的氢气。