ESD保护电路和半导体器件

摘要

本发明提供了ESD保护电路和半导体器件。静电放电保护电路具有双极晶体管，其包括：第一导电型的第一扩散层，该第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极；第二导电型的第二扩散层，该第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极；以及第二导电型的第三扩散层，该第二导电型的第三扩散层与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极。第三扩散层的与第一扩散层相对的第一区域的面积大于第二扩散层的与第一扩散层相对的第二区域的面积。

主权项

一种包括双极晶体管的静电放电保护电路，包括：第一导电型的第一扩散层，所述第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极；第二导电型的第二扩散层，所述第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极；以及第二导电型的第三扩散层，所述第二导电型的第三扩散层与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极，其中所述第三扩散层的与所述第一扩散层相对的第一区域的面积大于所述第二扩散层的与所述第一扩散层相对的第二区域的面积，其中所述第二扩散层和所述第三扩散层被交替地安排，并且所述第一扩散层的至少一部分与所述第一区域和所述第二区域相对，其中所述第二扩散层和所述第三扩散层中的每一个是具有短边和长边的矩形，所述第二扩散层和所述第三扩散层被安排为使得它们的长边彼此相对，并且所述第一扩散层的所述至少一部分被安排为与所述第二扩散层和所述第三扩散层的短边相对。