发明名称 |
一种光学可测且使用封帽电极的MEMS封装结构 |
摘要 |
本发明提供了一种光学可测且使用封帽电极的MEMS封装结构,其主要包括:MEMS结构、承载MEMS结构的衬底、所述MEMS结构及衬底上的封帽,封帽将MEMS结构密封在封帽与衬底之间形成的腔体内。封帽由封帽基体、封帽电极、导电凸块及其底部金属层、密封环组成;其中,封帽基体为对特定光线透明材料,封帽电极4位于封帽内侧,用于感应MEMS结构的运动,可以为带有透光孔的不透明电极,也可以为不带有透光孔的透明电极;封帽电极的形式可以为公共电极或分立电极。本发明结构简单,且能够应用于非接触式光学测量方法;该封装结构还与CMOS工艺兼容,甚至能够直接用于封装CMOS顶层金属-介质结构组成的MEMS器件。 |
申请公布号 |
CN102976262A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210495460.7 |
申请日期 |
2012.11.28 |
申请人 |
江苏物联网研究发展中心 |
发明人 |
秦毅恒;薛惠琼;谭振新 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种光学可测且使用封帽电极的MEMS封装结构,其特征是,包括:MEMS结构(8)、承载MEMS结构(8)的衬底(2)、所述MEMS结构(8)和衬底(2)上的封帽(1),所述封帽(1)与衬底(2)之间形成的腔体(20),MEMS结构(8)密封在所述腔体(20)内;所述封帽(1)包括封帽基体(3)、封帽电极(4)、导电凸块(6)及其底部金属层(19),所述封帽电极(4)、导电凸块(6)的底部金属层(19)使用同一层封帽导电层(23)制作;所述封帽基体(3)为对特定光线透明材料,所述封帽导电层(23)为不透明导电材料或透明导电材料;所述封帽电极(4)为分立电极或公共电极,位于封帽(1)内侧,与腔体(20)接触,用于感应MEMS结构(8)的运动;当所述封帽导电层(23)为不透明导电材料时,封帽电极(4)中包含一个或多个位于MEMS结构(8)的上方的透光孔(5)。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 |