发明名称 |
GaAs体系四结太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种GaAs体系四结太阳能电池的制备方法,其特点是:采用MOCVD在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。本发明由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP2/AlxGa1-xAs/GaInAs/Ge各子电池材料及制作过程,有效提高了太阳电池的效率;开路电压提高到4V,实现了高电压低电流特性;电池器件制作工艺能够与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容,简化了制备工艺,降低了制作成本,在可行性方面非常容易实现。 |
申请公布号 |
CN102983210A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210378165.3 |
申请日期 |
2012.10.08 |
申请人 |
天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
刘如彬;高鹏;王帅;张启明;康培;孙强;穆杰 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
GaAs体系四结太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下制备过程:采用金属有机化学气相沉积技术在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1‑xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层,即完成本发明GaInP/AlxGa1‑xAs/GaInAs/Ge四结太阳能电池的制作。 |
地址 |
300384 天津市西青区华苑产业园区海泰发展四道15号 |