| 发明名称 | 量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。 | ||
| 申请公布号 | CN102983230A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201210328278.2 | 申请日期 | 2012.09.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金泰豪;赵庆相;丁大荣;崔秉龙 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 弋桂芬 |
| 主权项 | 一种量子点层的制造方法，所述方法包括：在源基板上顺次地堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在所述量子点层上设置印模；通过所述印模拾取所述牺牲层和所述量子点层；以及采用溶解所述牺牲层的溶液从所述量子点层去除所述牺牲层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||