一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法

摘要

一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法。本发明的技术方案要点是，先按比例称量选取磨料；分散剂；助研剂；润滑剂；增稠剂；辅助剂；先用助研剂，充分混合，如需加热，则加热至溶化，搅拌均匀，待用；加入增稠剂，加热至90～100℃，待完全溶化后，加入润滑剂、调和剂及分散剂，搅拌均匀；加入所需的磨料微粉，根据磨料微粉粒度用相应的筛网进行筛过，使其疏松与均匀，待用；将先前配制的助研剂与配制好的混合物进行混合；加热并搅拌，待加热温度在60～80℃时，加入中备好的磨料微粉，充分搅拌，并加入辅助剂，搅拌均匀后，让其自然冷却成膏。本发明所制得的研磨膏具备良好的稳定性。

主权项

一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：当制作 100g研磨膏时各组份所占的重量份如下：磨料           5g～30g；分散剂         5g～30g；助研剂         5g～25g；润滑剂         5g～25g；增稠剂         5g～25g；辅助剂         1g～5g；调和剂         1g～15g。