半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一栅极堆叠于第一区、第二栅极堆叠于第二区，其各自包含一虚置栅极；从第一栅极堆叠与第二栅极堆叠中去除虚置栅极，以形成一沟槽；形成一金属层填入部分沟槽；形成一氧化层于金属层上，且填满沟槽的其余部分；对氧化层进行第一处理；形成一图案化光致抗蚀剂层于第一区上的氧化层；对第二区上的氧化层进行第二处理；蚀刻第二区上的氧化层；蚀刻第二区上的金属层；去除图案化光致抗蚀剂层；以及，去除第一区上的氧化层。本发明提供的半导体装置的制造方法能够避免在图案化金属层时残留光致抗蚀剂和侧向蚀刻的问题。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一区与第二区；形成第一栅极堆叠于该第一区且形成第二栅极堆叠于该第二区，该第一栅极堆叠与第二栅极堆叠各自包含一虚置栅极；从该第一栅极堆叠与第二栅极堆叠中去除该虚置栅极，以形成一沟槽；形成一金属层填入部分该沟槽；形成一氧化层于该金属层上，且填满该沟槽的其余部分；对该氧化层进行第一处理，其中该第一处理包括下列其中之一：干式氧等离子体、硫酸和过氧化氢的混合液、臭氧与去离子水、过氧化氢；之后，形成一图案化光致抗蚀剂层于该第一区上的氧化层；之后，对该第二区上的氧化层进行第二处理，其中该第二处理包括下列其中之一：硫酸和过氧化氢的混合液、臭氧与去离子水，其中该第一区上的氧化层因覆盖该图案化光致抗蚀剂层未进行该第二处理，该第二区上的氧化层有进行第二处理，使得该第二区上的氧化层和该第一区上的氧化层有不同的湿蚀刻速率；蚀刻该第二区上的氧化层；蚀刻该第二区上的金属层；去除该图案化光致抗蚀剂层；以及去除该第一区上的氧化层。