发明名称 |
优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法,该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽,并进行顶部圆化弧度测量,建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系;然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势,得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度;最后,根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系,计算并调节刻蚀时间,以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。从而改变了以往只能粗略评估浅槽隔离顶部形貌的缺点,实现了精确控制在线制品的形貌和最终的电性,大大提高浅槽隔离开发效率和产品良率的方法。 |
申请公布号 |
CN102983096A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210501020.8 |
申请日期 |
2012.11.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
许进;王国兵;唐在峰;吕煜坤;张旭昇 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:在对浅槽隔离进行顶部刻蚀时,调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽;对不同刻蚀时间下得到的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽进行顶部圆化弧度测量,建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系;根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势,得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度;根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系,计算并调节刻蚀时间,以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |