| 发明名称 | 多级调容变压器用圆筒式线圈结构 | ||
| 摘要 | 多级调容变压器用圆筒式线圈结构，高压相绕组采用多层圆筒式线圈结构，低压相绕组采用多层箔绕圆筒式线圈结构，在不同容量对应的高、低压相绕组线匝处引出抽头，并将三相绕组的所有抽头及三相绕组的首端分别对应接入有载开关的定、动触头上；对于Y，yn联结的产品，三相相绕组可通过开关封星，并使O相从开关上引出。本实用新型在容量调节时不改变变压器主空道的距离，因此，变压器重要阻抗参数不发生明显的变化。 | ||
| 申请公布号 | CN202816621U | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201220123396.5 | 申请日期 | 2012.03.28 |
| 申请人 | 沈阳全密封变压器股份有限公司 | 发明人 | 赵淮林;孙汉明;陈龙 |
| 分类号 | H01F29/04(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/40(2006.01)I | 主分类号 | H01F29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人 | 甄玉荃 |
| 主权项 | 多级调容变压器用圆筒式线圈结构，其特征在于：高压相绕组采用多层圆筒式线圈结构，低压相绕组采用多层箔绕圆筒式线圈结构，在不同容量对应的高、低压相绕组线匝处引出抽头，并将三相绕组的所有抽头及三相绕组的首端分别对应接入有载开关的定、动触头上；对于Y,yn联结的产品，三相绕组的所有抽头分别对应接入有载开关的定触头上，三相相绕组通过开关封星。 | ||
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区远航东路8号 | ||