发明名称 一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构
摘要 本实用新型涉及半导体封装技术领域,特别涉及一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构,包括引线框架和下模间距镶件,引线框架包括头部连杆和管脚连杆,下模间距镶件的一侧设有凹槽,头部连杆和凹槽配合设置。头部连杆的长度和凹槽的深度均为0.2-0.35mm。头部连杆的长度和凹槽的深度均为0.28mm。管脚连杆侧边为曲折形状。管脚连杆宽度为0.78mm。本实用新型阻止多余胶体溢出头部,并增长了引线框架头部连杆,且将下模间距镶件与头部连杆配合的部位由L形变成凹槽,加强了头部连杆与下模间距镶件的配合紧密度,有效地减少了树脂从引线框架头部溢出,减少了脱模后的除胶工序,节约了人力资源和原材料,提高了生产效率。
申请公布号 CN202816928U 申请公布日期 2013.03.20
申请号 CN201220440693.2 申请日期 2012.08.31
申请人 杰群电子科技(东莞)有限公司 发明人 刘思勇
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;B29C45/14(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人 雷利平
主权项 一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构,包括引线框架和下模间距镶件,所述引线框架包括头部连杆和管脚连杆,其特征在于:所述下模间距镶件的一侧设有凹槽,所述头部连杆和所述凹槽配合设置。
地址 523750 广东省东莞市黄江镇裕元工业园区精成科技园区B栋杰群电子科技(东莞)有限公司
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