| 摘要 |
1. Сенсорное устройство для селективного обнаружения малых концентраций функциональных углеводородов в газовой фазе по меньшей мере с одним выполненным с возможностью нагрева резистивным датчиком (11, 14), отличающееся тем, что он также имеет по меньшей мере один выполненный с возможностью нагрева датчик (11, 14 и 20) поверхностной ионизации, который находится в электрическом поле.2. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что резистивный датчик (11, 14) является металлооксидным датчиком (ОМ-датчиком).3. Сенсорное устройство по п.2, отличающееся тем, что резистивный сенсорный слой (12) выполнен по существу из МоОили SnO.4. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что резистивный сенсорный слой (12) является полупроводником или полимером.5. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что датчик поверхностной ионизации включает в себя сенсорную поверхность (12), а также расположенный на расстоянии от нее электрод (20), между которыми находится электрическое поле.6. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) датчика поверхностной ионизации состоит по существу из металлооксидного слоя (ОМ).7. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) датчика поверхностной ионизации выполнена из полупроводника, прежде всего GaN, AlN, SiC, алмаза.8. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) датчика поверхностной ионизации состоит по существу по меньшей мере из одного благородного металла, прежде всего Pt, Pd, Re.9. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что расстояние между сенсорной поверхностью/электродом (11) и противоположным электродом (20) сост |
