| 摘要 |
1. Многоплощадочный пленарный кремниевый pin-фотодиод, содержащий пластину, выполненную из высокоомного p-Si или эпитаксиальной кремниевой структуры с эпитаксиальной пленкой высокоомного p-Si на подложке р-типа, с фоточувствительными площадками из планарных n-р переходов и охранным элементом, выполненным в виде планарного n-р перехода, отличающийся тем, что охранный элемент охватывает без разрыва каждую отдельную фоточувствительную площадку, входящую в состав pin-фотодиода.2. Многоплощадочный планарный кремниевый pin-фотодиод по п.1, отличающийся тем, что охранное кольцо и фоточувствительные площадки имеют аналогичные профили распределения примесных атомов по глубине. |
