发明名称 | 一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法,包括:(1)准备可弯曲和拉伸的基板;(2)拉伸所述基板,并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂;(3)在所述基板上沉积栅极;(4)在经步骤(3)处理后的器件上沉积有机介电层单元;(5)在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层;(6)基板松弛,释放作用在基板上的载荷,并进行热处理,以消除界面应力和器件的压应力;(7)沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度,有效提高了制造精度,提升了柔性电子器件的分辨率。 | ||
申请公布号 | CN102169960B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
申请号 | CN201110063328.4 | 申请日期 | 2011.03.16 |
申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 黄永安;尹周平;陈建魁;布宁斌;王小梅;段永青 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
主权项 | 一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法,包括如下步骤:(1)准备可弯曲和拉伸的基板(4),所述基板(4)为橡胶基板;(2)拉伸所述基板(4),并在拉伸后的基板(4)表面涂覆粘合剂,其中所述粘合剂的玻璃态转化温度低于所述基板(4)的玻璃态转化温度;(3)在所述基板(4)上沉积栅极(6);(4)在经步骤(3)处理后的器件上沉积有机介电层单元(7);(5)在所述有机介电层单元(7)上分别沉积源极单元层(11)和漏极单元层(12);(6)在沉积源极单元层(11)和漏极单元层(12)之后松弛基板,逐步释放橡胶基板单元的拉伸应变,使得橡胶基板单元恢复原状,并进行热处理,以消除界面应力和器件的压应力,其中所述热处理温度控制在橡胶基板玻璃态转化温度和粘合剂玻璃态转化温度之间的范围内;(7)沉积有机半导体层单元(10);(8)将步骤(7)处理的器件附着在附加基板单元(5)上,以限制器件的变形,保持尺寸的稳定;通过上述过程,即完成柔性电子器件薄膜晶体管的制备。 | ||
地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |