发明名称 |
一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法 |
摘要 |
本发明公开一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法,是对经过清洗制绒,扩散制备PN结,刻蚀去除晶体硅四周的PN结,清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜,其特征在于它包括以下步骤:(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜;(2)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(1)得到的二氧化硅薄膜上沉积一层氮化硅薄膜;(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)得到的氮化硅薄膜上沉积第二层氮化硅薄膜;(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。:本发明得到了由二氧化硅和氮化硅组成的三层氮化硅薄膜,该减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射,提高晶体硅太阳能的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN102983211A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210401579.3 |
申请日期 |
2012.10.22 |
申请人 |
江苏晨电太阳能光电科技有限公司 |
发明人 |
张晨;张森林 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
张惠忠 |
主权项 |
一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法,是对经过清洗制绒,扩散制备PN结,刻蚀去除晶体硅四周的PN结,清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜,其特征在于它包括以下步骤:(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜;(2)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(1)得到的二氧化硅薄膜上沉积一层氮化硅薄膜;(3) 利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)得到的氮化硅薄膜上沉积第二层氮化硅薄膜;(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。 |
地址 |
223700 江苏省宿迁市泗阳县经济开发区文成东路206号 |