发明名称 |
肖特基二极管及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种肖特基二极管及制作方法,本发明所述肖特基二极管及制作方法通过设置第一掺杂区和第二掺杂区,所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部,所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对应接触。所述第一掺杂区加一定反向电压后,第一掺杂区下面的PN结耗尽扩展区会连在一起保护肖特基势垒,减小肖特基二极管的常温漏电,从而达到提高了肖特基二极管的工作结温的目的,并显著改善了肖特基二极管的高温稳定性。 |
申请公布号 |
CN102983177A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210532715.2 |
申请日期 |
2012.12.07 |
申请人 |
杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司 |
发明人 |
刘宪成;梁勇;陈向东;方佼;李其鲁 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种肖特基二极管,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底上形成有外延层;保护环,所述保护环位于所述外延层中;钝化层,所述钝化层位于所述外延层上并具有引线窗口,所述引线窗口暴露部分所述保护环;势垒合金层,形成于所述引线窗口中的外延层上;所述肖特基二极管还包括:若干平行排列且不相接触的第一掺杂区,位于所述引线窗口中的外延层中,并形成于所述保护环环绕的区域内,所述第一掺杂区浓度最大处距离所述外延层表面的垂直距离大于0.3μm;以及若干平行排列且不相接触的第二掺杂区,所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对应接触。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 |