一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法

摘要

本发明涉及一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法。其步骤是：一、在槽体外侧施加电磁场，磁场强度为60-80A/m，磁场方向为垂直于硅片表面；二、先经过两槽SC-1清洗，每槽清洗液温度60℃，清洗5min；清洗液配比为氨水：双氧水：纯水=2:3:40；三、用纯水漂洗5min；四、进入SC-2清洗，清洗液温度为室温，清洗5min；清洗液配比为盐酸：双氧水：纯水=1:1:25，五、用纯水漂洗5min；六、经慢提拉后甩干；七、进行表面颗粒检测。采取本方法既能实现有效地去除有机物、金属离子、颗粒的沾污以及有蜡抛光后的蜡残留，又不恶化清洗后硅片表面的粗糙度，达到了提高产品品质的目的。采取本方法生产的硅片，均满足甚至高于产品的各项技术参数指标，从而较好地克服了传统RCA清洗的局限性。

主权项

一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法，其特征在于，采取的方法步骤如下：一、在清洗槽体外侧施加电磁场，磁场强度为60‑80A/m，磁场方向为垂直于硅片表面；二、先经过两槽SC‑1清洗液清洗，每槽清洗液温度60℃，清洗时间5min；SC‑1清洗液体积配比为氨水：双氧水：纯水=2:3:40；其中氨水浓度为28‑29%，优级纯；双氧水浓度为30‑32%，优级纯；纯水电阻率＞18MΩ·cm；三、清洗后的抛光片用纯水漂洗，漂洗时间为5min；四、纯水漂洗后进入SC‑2清洗液清洗，清洗液温度为室温，清洗时间为5min；SC‑2清洗液体积配比为盐酸：双氧水：纯水=1:1:25，其中盐酸浓度为36‑38%，优级纯；双氧水浓度为30‑32%，优级纯；纯水电阻率＞18MΩ·cm；五、清洗后的抛光片用纯水漂洗，漂洗时间为5min；六、经过慢提拉工艺后，进入甩干机甩干；七、最后进行硅片表面颗粒检测。