主权项 |
1.一种整流二极管的制作方法,包括硅片超砂、硅片清洗、清洗石英架和石英砣、扩散、检测、扩散源制作步骤,其特征在于,采用磷、硼、铂液态源一次全扩散工艺,通过磷硅玻璃吸收实现少子寿命的优化分布,其具体操作步骤如下:1)硅片超砂将硅片摆在高温四氟架上,放入清洗液中,清洗液的配比是,电子清洗液:去离子水=2.7ml:1000ml,超声清洗30~40分钟,再用60℃~70℃去离子水冲洗,用高纯去离子水超120~150分钟,每30~35分钟更换一次高纯去离子水,然后,用冷热去离子水交替冲洗四遍;2)硅片清洗将超砂完的硅片放入1#液中,1#液的配比按体积比是,氨水:过氧化氢:高纯去离子水=1:2:5,在加热器上煮10~15分钟,然后,用高纯去离子水冲洗10~15遍,再换上新1#液重复煮一遍,最后用冷热高纯去离子水交替冲洗20~25遍;2#液的配比按体积比是,盐酸:过氧化氢:高纯去离子水=1:2:7.在加热器上煮10~15分钟,然后,用高纯去离子水冲洗10~12遍,再换上新2#液重复煮一遍,用冷热高纯去离子水交替各冲洗20遍,最后将清洗干净的硅片放入140~145℃烘箱中烘4~4.5小时;3)清洗石英架、石英砣将石英架、石英砣放入体积比为H<sub>2</sub>O:HF=5:1的氢氟酸溶液中浸泡30~35分钟,然后,取出用冷热高纯去离子水冲洗各20~25遍,放入140~145℃烘箱中烘2~2.5小时;4)磷、硼、铂液态源一次全扩散采用开管扩散,扩散炉温度为1250±1℃,扩散时间为12~15小时,放入磷源、硼源和铂,P型区要求R□P=1.1~1.3R□/,XjP=90±3μm,扩散时间到后关闭扩散炉电源,自然降温至室温,取出石英架;5)检测在伏安特性电压测试台测试全扩散后的硅单晶片,其阻断电压2100V时硼面浓度为R□P=1.1~1.3R□/,XjP=90±3μm,磷面浓度为R□N=0.6~0.7R□/,XjN=28+2μm。 |