锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法

摘要

锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，它涉及锇膜电阻线构成的电阻型原子氧传感器芯片的制造方法。本发明解决了现有工艺制备锇膜存在容易开裂、原子氧测量的准确性差的问题。本发明方法如下：一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后即在基片表面形成锇膜电阻线。本发明制得芯片的锇膜电阻线表面光滑平整，无微裂纹和针孔，线宽小，厚度大，因此该原子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精度良好，原子氧反应率线性度高，可连续在线长期稳定工作。本发明的方法工艺简单、操作方便。

主权项

锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法是按下述步骤完成的：一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜后在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后在基片表面形成锇膜电阻线，得到锇膜电阻线原子氧传感器芯片；其中步骤一中铬膜的厚度为5～20nm；步骤二中锇膜的厚度为0.2～100μm，步骤四中锇膜电阻线宽为1～2000μm。