| 发明名称 | 薄膜制造方法和可在该方法中使用的硅材料 | ||
| 摘要 | 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102084022B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN200980125968.4 | 申请日期 | 2009.07.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 神山游马;本田和义;篠川泰治 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种薄膜制造方法，其特征在于，包括：使从蒸发源飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置沉积于基板上使得在所述基板上形成薄膜的工序；和在使含有所述薄膜的原料的块状材料在所述蒸发源的上方熔化的同时，将熔化了的所述材料以液滴的形式供给至所述蒸发源的工序，作为所述块状材料，使用内包有多个孔隙的硅材料，所述孔隙具有1～20mm3的范围的平均体积。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||