| 发明名称 | 提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，属于以Si作为衬底生长GaN基LED的技术领域；所要解决的技术问题是提供一种能够提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法；采用的技术方案为：提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，按以下步骤进行：第一步、用SiO2作为衬底的底层；第二步、用Si作为衬底的第二层；第三步：在Si层上生长GaN层；本发明利用GaN、Si和SiO2这几种不同材料的界面反射效应，减少衬底材料对蓝绿光的吸收，提高了LED的出光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102270711B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201110209552.X | 申请日期 | 2011.07.26 |
| 申请人 | 山西天能科技股份有限公司 | 发明人 | 秦海滨;张志成;郭强;张彦伟 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人 | 崔雪花 |
| 主权项 | 1.提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：按以下步骤进行：第一步、用SiO<sub>2</sub>作为衬底的底层，SiO<sub>2</sub>层（3）的厚度d<sub>2</sub>的计算公式为：<img file="FDA00002248017400011.GIF" wi="352" he="142" />其中：λ为蓝绿光的波长，波长范围为530nm～580nm，n<sub>2</sub>为SiO<sub>2</sub>的折射率，k为整数；第二步、用Si作为衬底的第二层，Si层（2）的厚度d<sub>1</sub>的计算公式为：<img file="FDA00002248017400012.GIF" wi="337" he="143" />其中：λ为蓝绿光的波长，波长范围为530nm～580nm，n<sub>1</sub>为Si的折射率，k为整数；第三步：在Si层上生长GaN层（1）。 | ||
| 地址 | 030006 山西省太原市高新区总部大街12号 | ||