发明名称 |
SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法,具体为:清洗SOI衬底;在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂,采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上;在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜;剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜;在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅,得到凹陷型对准标记;去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好,提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度,且与CMOS工艺兼容,能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质,也不需担心标记的变形或移位。 |
申请公布号 |
CN102983119A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210474410.0 |
申请日期 |
2012.11.22 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
曾成;夏金松;李丹萍 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
李智 |
主权项 |
一种SOI上电子束套刻工艺中所需的对准标记,其特征在于,其为在顶硅层厚度小于1μm的在SOI衬底上加工有凹陷。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |