发明名称 |
透明导电性膜及其制造方法 |
摘要 |
提供一种透明导电体层之图案形状并不醒目、辨识度良好之多层结构之透明导电性膜。该膜具备:由膜状高分子树脂而形成的透明基材11;于基材11上所积层的第1硬涂层12;于第1硬涂层12上视需要而积层的第1透明介电质层13;于第1透明介电质层13上所积层的第1透明导电体层14。基材11具有2μm~250μm的膜厚。第1硬涂层12由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成,具有1.40~1.90的折射率及0.5μm~6μm的膜厚。第1透明介电质层13由无机物而形成,具有1.30~1.50的折射率及10nm~50nm的膜厚。第1透明导电体层14由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成,进行了图案化且具有10nm~2μm的膜厚。 |
申请公布号 |
CN102985898A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201180033559.9 |
申请日期 |
2011.07.05 |
申请人 |
捷恩智株式会社 |
发明人 |
田仲拓郎;中川泰彦;饭塚洋介;大熊康之;山广干夫 |
分类号 |
G06F3/041(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;B32B15/08(2006.01)I;B32B27/18(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/041(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种透明导电性膜,包括:透明基材,由膜状的高分子树脂而形成;第1硬涂层,积层于所述基材的其中一个面上;第1透明介电质层,视需要而积层于所述第1硬涂层的与所述基材侧为相反侧的面上;以及第1透明导电体层,积层于所述第1透明介电质层的与所述第1硬涂层侧为相反侧的面上;所述基材具有2μm~250μm的膜厚,所述第1硬涂层由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成,具有1.40~1.90的折射率及0.5μm~6μm的膜厚,所述第1透明介电质层由无机物而形成,具有1.30~1.50的折射率及10nm~50nm的膜厚,所述第1透明导电体层由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成,进行了图案化且具有10nm~2μm的膜厚。 |
地址 |
日本东京千代田区大手町二丁目2番1号 |