一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括生长模板；所述生长模板包括生长衬底和在生长衬底上生长一薄层氮化物；所述模板通过光刻及刻蚀工艺，或划片工艺被分割成多个独立单元，每个独立单元的尺寸和最终芯片的尺寸完全一样；所述模板经腐蚀后的在各独立单元的侧壁上形成有微观结构；所述模板经清洗后的上表面依次生长有N-GaN层，量子阱层，P-GaN层；所述N-GaN层，量子阱层，和P-GaN层的侧壁相对所述模板悬空，且形成有第一出光角度。本发明有效地降低了外延结构生长时的位错密度，增加了发光二极管侧壁的出光效率，同时减少了划片工艺中激光照射GaN对芯片造成的损伤，提升了芯片的发光亮度。

主权项

一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括模板；所述模板包括生长衬底和在生长衬底上生长一氮化物层；所述模板通过光刻及刻蚀工艺，或划片工艺被分割成多个独立单元，每个独立单元的尺寸和最终芯片的尺寸完全一样；所述模板经腐蚀后的在各独立单元的侧壁上形成有微观结构；所述模板经清洗后的上表面依次生长有N‑GaN层，量子阱层，P‑GaN层；所述N‑GaN层，量子阱层，和P‑GaN层的侧壁相对所述模板悬空，且形成有第一出光角度；所述模板的侧壁形成有第二出光角度。