一种光电位移传感器

摘要

本实用新型提供一种光电位移传感器，至少包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线；所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金；本实用新型还可以包括形成在所述半导体衬底和所述金属薄膜层之间的氧化物层；所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。本实用新型通过将金属薄膜层作为光电位置传感器的光响应面，相对于目前的光电位移传感器来说，可以显著提高和改善光电位移传感器的线性度和灵敏度，同时本实用新型结构简单，适用于大规模工业生产应用。

主权项

一种光电位移传感器，其特征在于，至少包括： 半导体衬底； 形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层； 分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极； 分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。