一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；(2)在硅片的扩散面上热氧化一层氧化硅膜；(3)在上述氧化硅膜上沉积一层高折射率氮化硅膜；(4)在上述高折射率氮化硅膜上沉积一层低折射率氮化硅膜；(5)丝网印刷、烧结。本发明开发了采用由氧化硅膜/高折射率氮化硅膜/低折射率氮化硅膜组成新的减反射膜，使普通的丝网印刷设备的摄像头能识别对位点，解决了现有技术中丝网印刷与腐蚀开口形成电极栅线的对位问题。

主权项

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；(2) 在硅片的扩散面上热氧化一层氧化硅膜，其厚度为1.0~4.9 nm；(3) 在上述氧化硅膜上沉积一层高折射率氮化硅膜，所述高折射率氮化硅膜的膜厚为5.0~9.9 nm，折射率为2.41~2.49；(4) 在上述高折射率氮化硅膜上沉积一层低折射率氮化硅膜，所述低折射率氮化硅膜的膜厚为55~70 nm，折射率为2.0~2.2；(5) 丝网印刷、烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。