液晶显示装置用阵列基板的制造方法

摘要

本发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成栅极；所述步骤d)包括：在半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成源极/漏极。

主权项

一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；所述方法的特征在于，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述栅极；所述步骤d)包括：在所述半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用所述蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述源极/漏极；且所述蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重量，包含：A)5.0至25.0重量％的过氧化氢(H2O2)；B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；C)0.1至5.0重量％的唑化合物；D)0.5至4.0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种或多种；以及E)余量为水。