发明名称 |
硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法,包括如下步骤:(1)清洁;(2)将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中;(3)用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空;(4)开启加热器进行加温熔化多晶硅;(5)待多晶硅完全熔化,下调加热器功率,保持熔体熔化状态1455摄氏度;(6)向熔体内进行镓元素掺杂;(7)充分混合后,稳定熔体温度在1450摄氏度,并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却;(8)将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗,并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅单晶具有吸杂能力强,机械性能好,微缺陷少等优点,是优质的外延衬底和器件衬底。 |
申请公布号 |
CN102978699A |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN201210465969.7 |
申请日期 |
2012.11.16 |
申请人 |
孙新利 |
发明人 |
孙新利 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 |
代理人 |
竺诗忍 |
主权项 |
硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法,其特征在于包括如下步骤:(1)清洁热场、单晶炉、石英坩埚部件;(2)打开单晶炉,将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中;(3)封闭单晶炉,用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空;(4)打开氩气流量,向单晶炉通入高纯氩气,高纯氩气流量为30~80slpm,同时开启加热器进行加温,熔化多晶硅;(5)待多晶硅完全熔化,下调加热器功率,保持熔体熔化状态1455摄氏度;(6)利用主室和副室隔离阀,结合镓元素的掺杂装置向熔体内进行镓元素掺杂;(7)充分混合后,稳定熔体温度在1450摄氏度,并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却,成型后单晶硅含有浓度为1×1018~1×1021atoms.cm‑3硼和浓度为1×1017~1×1020atoms.cm‑3的镓;(8)将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗,并进行器件制作。 |
地址 |
313199 浙江省湖州市长兴县雉城镇新城丽景41幢2单元102室 |