| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung enthält: ein hochseitiges Schaltelement (Q1) und ein niederseitiges Schaltelement (Q2), die als Totempfahl in dieser Reihenfolge von einer Hochspannungsseite aus zwischen ein hochspannungsseitiges Potential und ein niederspannungsseitiges Potential geschaltet sind, eine hochseitige Treiberschaltung (1), die einen Hochspannungsanschluss (VB) und einen Niederspannungsanschluss (VE) enthält, die mit einer schwebenden Leistungsversorgung (C1) verbunden sind, wobei die hochseitige Treiberschaltung (1) entweder eine Spannung an dem Hochspannungsanschluss (VB) oder eine Spannung an dem Niederspannungsanschluss (VE) an das hochseitige Schaltelement (Q1) überträgt zum Steuern des hochseitigen Schaltelements (Q1), eine niederseitige Treiberschaltung (2), die das niederseitige Schaltelement (Q2) steuert, eine Referenzspannungsschaltung (3), die eine Spannung zwischen der Spannung an dem Hochspannungsanschluss (VB) und der Spannung an dem Niederspannungsanschluss (VE) der hochseitigen Treiberschaltung (1) erzeugt und die Referenzspannung einem Verbindungspunkt zwischen dem hochseitigen Schaltelement (Q1) und dem niederseitigen Schaltelement (Q2) zuführt, und ein Ladeschaltelement (Q3) mit einem Steueranschluss, einem ersten Anschluss, der mit dem Niederspannungsanschluss (VE) der hochseitigen Treiberschaltung (1) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, der mit Masse (GND) verbunden ist.
|
