发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Montieren derselben
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Einfassen derselben. In einer Ausführungsform umfasst eine Halbleitervorrichtung einen integrierten Schaltkreis (102, 202, 302, 402, 502, 602) und mehrere Kupferpfosten (110, 210, 310, 410, 510, 610), die auf einer Oberfläche des integrierten Schaltkreises (102, 202, 302, 402, 502, 602) angebracht sind. Die mehreren Kupferpfosten (110, 210, 310, 410, 510, 610) weisen eine gestreckte, längliche Form auf. Mindestens 50 % der mehreren Kupferpfosten (110, 210, 310, 410, 510, 610) sind mit einer im Wesentlichen zentripetalen Ausrichtung angeordnet.
申请公布号 DE102012100793(A1) 申请公布日期 2013.03.14
申请号 DE201210100793 申请日期 2012.01.31
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 WU, SHENG-YU;KUO, TIN-HAO;CHEN, CHEN-SHIEN;CHENG, MING-DA
分类号 H01L23/528;H01L21/58;H01L21/768;H01L23/48 主分类号 H01L23/528
代理机构 代理人
主权项
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