摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Einfassen derselben. In einer Ausführungsform umfasst eine Halbleitervorrichtung einen integrierten Schaltkreis (102, 202, 302, 402, 502, 602) und mehrere Kupferpfosten (110, 210, 310, 410, 510, 610), die auf einer Oberfläche des integrierten Schaltkreises (102, 202, 302, 402, 502, 602) angebracht sind. Die mehreren Kupferpfosten (110, 210, 310, 410, 510, 610) weisen eine gestreckte, längliche Form auf. Mindestens 50 % der mehreren Kupferpfosten (110, 210, 310, 410, 510, 610) sind mit einer im Wesentlichen zentripetalen Ausrichtung angeordnet. |
申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
WU, SHENG-YU;KUO, TIN-HAO;CHEN, CHEN-SHIEN;CHENG, MING-DA |