| 发明名称 | 多晶广角发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种多晶广角发光二极管，包括：一基板，具备导热部及设于导热部侧边的正、负电极；一反射杯体，形成于该基板上；至少二颗发光芯片，设在该导热部而位于该反射杯体内部；一封胶层，设置于该反射杯体内部而将该发光芯片予以包覆；一透镜，设置于该反射杯体与该封胶层的顶缘，且其中间顶面形成凹入部；该凹入部的断面呈V形沟，且沿着该V形沟轮廓下方小于80度的透镜夹角的区域内，至少在对应于该发光芯片的位置，设有使该发光芯片所发出的光线折射的微结构。本实用新型具有能以单一透镜使多芯片的发光二极管，所形成的光型具有广角且出光均匀的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN202796936U | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201220271918.6 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 琉明斯光電科技股份有限公司 | 发明人 | 謝佳翰;黃志騰;陳春芳 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人 | 高凤荣 |
| 主权项 | 一种多晶广角发光二极管，包括：一基板，具备导热部及设于导热部侧边的正、负电极；一反射杯体，形成于该基板上；至少二颗发光芯片，设在该导热部而位于该反射杯体内部；一封胶层，设置于该反射杯体内部而将该发光芯片予以包覆；以及一透镜，设置于该反射杯体与该封胶层的顶缘，且其中间顶面形成凹入部；其特征在于：该凹入部的断面呈V形沟，且沿着该V形沟轮廓下方小于80度的透镜夹角(θ)的区域内，至少在对应于该发光芯片的位置，设有使该发光芯片所发出的光线折射的微结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县中坜市永福里东园路37号 | ||