提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法

摘要

本发明提出一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片上制备氧埋层；在第一硅片上键合第二硅片，制备绝缘体上硅硅片；在制备绝缘体上硅器件之前，对绝缘体上硅硅片进行预处理，将氮离子注入到绝缘体上硅硅片的氧埋层，通过退火工艺，激活注入的氮离子，在氧埋层和衬底界面之间形成悬挂键；在经过处理的绝缘体上硅硅片上制备PMOS结构的浮体效应存储器单元。由上述技术方案的实施，提供了一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元的制造方法，以增加氧埋层与衬底之间的界面悬挂键，从而有效的俘获电子，提高PMOS结构的浮体效应存储器单元的数据保持性能。

主权项

一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片上制备氧埋层；在第一硅片上键合第二硅片，制备绝缘体上硅硅片；在制备绝缘体上硅器件之前，对绝缘体上硅硅片进行预处理，将氮离子注入到绝缘体上硅硅片的氧埋层，通过退火工艺，激活注入的氮离子，在氧埋层和衬底界面之间形成悬挂键；在经过处理的绝缘体上硅硅片上制备PMOS结构的浮体效应存储器单元。