导热绝缘复合膜层及芯片堆叠结构

摘要

本发明提供一种导热绝缘复合膜层及芯片堆叠结构。该导热绝缘复合膜层，包括位于金属基材的上表面及下表面上的介面层，以及位于介面层上的绝缘层。由于本发明的绝缘复合层兼具导热及绝缘特性，因此可设置于芯片堆叠结构之间并直接接触芯片，以同时于水平及垂直方向散热。

主权项

一种芯片堆叠结构中的导热绝缘复合膜层，包括：金属基材；介面层，分别位于该金属基材的上表面及下表面上；以及第一绝缘层，位于该些介面层上，其中该金属基材为高导热金属，该介面层用于增加该第一绝缘膜层与该金属基材的结合强度，该第一绝缘层用于避免芯片因接触该导热绝缘复合膜层而短路，该金属基材的厚度介于10μm至200μm之间，该介面层的厚度介于20nm至100nm之间，该第一绝缘层的厚度介于20nm至2μm之间。