半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。例如在形成了单位单元的Si外延层上形成贯通该Si外延层的接触孔。然后使其内壁氧化，形成膜厚大致均匀的薄绝缘膜。隔着该绝缘膜，在接触孔内埋入低电阻多晶硅形成接触层，从而形成兼作对准标记的背面取出电极的结构。

主权项

一种半导体装置，包括：半导体基板；背面取出电极，在贯通所述半导体基板的接触孔内，隔着形成为具有均匀膜厚的绝缘膜埋入第1导电材料，用于在所述半导体基板的背面侧取出还用作对位用标记的电极；以及焊盘，设置在所述半导体基板的背面，与所述背面取出电极连接，所述电极用电阻比所述第1导电材料低的第2导电材料来置换所述第1导电材料。